Samsung wil in 2025 beginnen met massaproductie 2nm-chips met mbcfet

Samsung start in de eerste helft van 2022 met massaproductie van 3nm-chips met gate-all-round transistors en Multi-Bridge-Channel FET. De 2nm-productie zou dan in 2025 moeten beginnen. Dit staat op de huidige roadmap van het bedrijf.

Na de eerste 3nm-chips in de eerste helft van 2022 krijgt het 3nm-proces van het bedrijf in 2023 een update voor een nieuwe generatie chips. Daarna bereidt Samsung zich voor op de overstap naar 2nm. Die laatste node bevindt zich nog in een vroeg stadium van ontwikkeling, maar de massaproductie zou in 2025 moeten beginnen. Dat meldde Samsung tijdens haar Samsung Foundry Forum .

Samsung's eerste generatie 3nm node zorgt voor een 25 procent reductie in chipgebied ten opzichte van 5nm. De prestaties van vergelijkbare chips kunnen 30 procent hoger zijn op 3nm of het energieverbruik kan worden gehalveerd ten opzichte van 5nm, aldus de claim. De opbrengst van 3nm, de opbrengst van werkende chips, 'benadert' die van de huidige 4nm node, verzekert Samsung. Details over de 2nm-generatie heeft het bedrijf nog niet bekendgemaakt.

Samsung gebruikt gate-all-around of gaa-transistors met Multi-Bridge-Channel FET voor 3nm. Mbcfet is de naam van Samsung voor zijn gaa-proces waarbij het nanosheets aanbrengt op de kanalen die door de poort worden omgeven. De huidige chipgeneraties zijn nog steeds finfets waarbij de poort over een 'vin' wordt geplaatst. Samsung blijft ook zijn finfet-productie verbeteren. Zo meldt het bedrijf de komst van een nieuw goedkoop en efficiënt 17nm-proces.