Samsung start 14nm-productie van DDR5-geheugen met vijf EUV-lagen

Samsung is begonnen met de productie van DDR5-geheugen op 14nm met behulp van extreem-ultraviolette lithografie voor vijf lagen. Het geheugen biedt een snelheid van 7,2 Gbit/s.

Samsung gebruikt extreem-ultraviolette lithografie voor vijf lagen van zijn nieuwe 14nm DRAM, waardoor de waferproductiviteit en het aantal functionele chips per wafer met 20 procent is toegenomen, aldus Samsung.

Vorig jaar begon Samsung met de productie van DRAM met euv, met de vorige generatie DDR4-geheugen. Het is niet bekend hoeveel chiplagen het bedrijf destijds euv gebruikte. Wel meldt Samsung dat dat aantal is verhoogd naar vijf. Vorig jaar ging het nog om de eerste generatie 10nm-klasse DDR4-geheugen, oftewel D1x. Samsung meldde toen dat het werkte aan EUV-productie van de vierde generatie 10mn-klasse dram, of D1a. Dat blijkt nu de 14nm productie te zijn. Samsung meldt dat het energieverbruik met twintig procent kan dalen ten opzichte van de vorige node, maar het is onduidelijk op welke node het bedrijf doelt.

Samsung verwacht op korte termijn 24Gbit-geheugenchips te kunnen produceren, wat aangeeft dat er nog 16Gbit-chips bij betrokken zijn. Met de DDR5-7200 richt Samsung zich vooral op de datacenter- en supercomputermarkt. SK hynix gebruikt euv ook bij de aanmaak van geheugen.